Hiina ioon{0}}Aurustamise abiga õhukese kile seadmete tootjad tarnijad tehas

Toote ülevaade

IAE-seeria ioon-aurustamise abiga õhukese kile seadmed integreerivad füüsilise aurustamise-sadestamise (PVD) reaalajas-ioonkiirega pommitusega. Suunates energilisi ioone substraadile termilise või elektron-kiirega aurustumisel, kannab süsteem hoogu üle kondenseeruvatele adatoomidele, struktureerides ümber kasvava kile mikrostruktuuri.

See kineetiline energiaülekanne kõrvaldab sambakujulised tühimikud, pärsib niiskuse imendumist ja lukustab murdumisnäitaja ümbritseva õhuniiskuse muutuste vastu. Pidevaks mitmes vahetuses tööks optiliste ja pooljuhtide tootmisliinidel loodud platvorm käsitleb substraate alates ülitäpse{2}}laseroptikast kuni räniplaatideni.

Ioonide{0}}toega vaakumaurustusseadmed
Ioon-abiga vaakumaurustussüsteem integreerib kõrg-vaakumtermo- või elektron-aurustusallikad Kaufmani-tüüpi või End-Halli iooniallikaga. Pommitades kasvavat kilet ioniseeritud gaasiga (Ar või O2)...
Vaata veel
Ioonkiirabiga aurustusseadmed
IBAE-süsteem ühendab elektron-- või termilise aurustamise integreeritud laiakiirega-iooniallikaga. Samaaegne ioonidega pommitamine kile kasvu ajal kannab kineetilise energia üle kondenseeruvatele...
Vaata veel
Ioon{0}}õhukese kile sadestamise seadmed
IA-seeria ioonide-abiga õhukese kile sadestamise seadmed integreerivad elektronkiire termilise aurustamise Kaufmani või End-Halli iooniallikaga. Energeetiline ioonide pommitamine (argooni/hapniku...
Vaata veel
Ioon{0}}Aurustamise õhukese kile süsteem
Ion{0}}abiga aurustamise (IAE) õhukese kihi süsteem ühendab füüsilise aurustamise-sadestamise (PVD) energilise ioonkiirega pommitusega. Termilise või elektron-aurustumise ajal suunab Kaufmani või...
Vaata veel
Ioon{0}}õhukese aurustamise abiga seadmed
Tööstusliku-klassi ioon-abiga aurustamise (IAE) süsteem, mis integreerib mitme-taskuelektron-aurutamise energilise ioonkiire allikaga (End-Hall või Kaufmani konfiguratsioon). Reaalajas ioonidega...
Vaata veel

Tehnilised andmed

Parameeter	Spetsifikatsioon
Ülim baasrõhk	< 5.0 × 10⁻⁵ Pa (achieved within 45 mins via cryogenic/turbomolecular pumping)
Aurustumise allikad	Mitme-taskuga E-kiirpüstol (4 × 15cc kuni 40cc) ja takistuslikud soojusallikad
Iooniallika tüüp	Võreta ots-Hall / Kaufman-tüüpi iooniallikas (kiire pinge: 50–1500 V, ioonvool: 0,1–3 A)
Kile paksuse kontroll	Kvartskristallide mikrokaal (QCM) + optiline jälgimissüsteem (OMS), täpsus ± 0,1 nm
Substraadi kinnitamine	Planetaarne pöörlemisseade, kupli raadius on kohandatud vastavalt substraadi geomeetriale
Substraadi kuumutamine	Kiirgusküttekeha massiiv, kuni 350 kraadi ± 2 kraadi PID ühtlusega
Juhtimisarhitektuur	PLC + tööstusarvuti, automatiseeritud retseptide täitmine, SECS/GEM-ühilduv andmete logimine

Ioonide abil{0}}sadestamise protsess

Auru tootmine:

Materjal aurustatakse e-kiirtiiglist või termopaadist kontrollitud sadestamiskiirusega (0,1–2,0 nm/s).

Momentumi ülekanne:

Energeetilised ioonid (Ar⁺, O⁺) pommitavad substraadi pinda samaaegselt E-kiirest või soojusallikast saabuva auruvooga.

Mikrostruktuuri muutmine:

Ioonide mõju suurendab adatoomi pinna liikuvust, takistades sambakujulise terade kasvu ja saavutades peaaegu -puistetiheduse (pakenditihedus > 99%).

Stöhhiomeetriline korrektsioon:

Reaktiivse iooni abi (O₂) tagab sub{0}}oksiidide täieliku oksüdatsiooni metalloksiidkiledes (nt Ta₂O5, Nb₂O5, SiO₂), kõrvaldades UV-NIR spektris neeldumisribad.

Filmi materjalid

Oksiidid:

SiO₂, Ta2O5, TiO2, Nb2O5, HfO₂ (optiliste filtrite kõrge murdumisnäitaja stabiilsus).

Fluoriidid:

MgF₂, LaF₃ (madala murdumisnäitajaga kihid lairiba AR-katete jaoks).

Metallid:

Al, Ag, Au, Ti (adhesioonikihid ja metallist helkurid).

Rakendused

Laser- ja täppisoptika:

Bandpassfiltrid, dikroonsed peeglid ja laserkaitsekatted, mis nõuavad kõrget laser{0}}indutseeritud kahjustuse läve (LIDT) ja nullspektri nihet termilise pinge all.

LiDAR katteklaas:

Vastupidavad -peegeldusvastased (AR) ja-määrdumisvastased õhukesed kiled, mis on vastupidavad karmidele välistingimustele.

Pooljuhtide pakend:

Niiskuse{0}}tõkkekapseldamise kihid ja metallist kontaktpadjad, mis on ladestunud substraadi madalal temperatuuril.

Biomeditsiinilised andurid:

Bioühilduvad optilised interferentskatted diagnostiliste mikrofluidkiipide jaoks.

Kohandamine

Kambrid ja sisemised paigutused on konstrueeritud vastavalt konkreetsetele tootmisjälgedele ja protsessi nõuetele:

01.

Kambri mõõtmed:

Skaleeritav R=600 mm uurimis- ja arendusüksustest R=1200 mm kõrgete{2}} võimsusega tootmissüsteemideni.

02.

Pumpamispaketid:

Konfigureeritav Maglevi turbomolekulaarpumpade, krüopumpade ja Rootsi puhuri tugiliinidega vastavalt gaasikoormuse nõuetele.

03.

Allika integreerimine:

Kahe-iooniallika konfiguratsioonid või kaas-sadestamise seadistused keerukate sulamite ja mitme{2}}kihiliste gradientkilede jaoks.

04.

Automatiseerimise tase:

Integratsioon automatiseeritud puhasruumi substraadi ülekandesüsteemidega (EFEM / vaakumklastri tööriistad).

Kvaliteedikontroll

Lekke tuvastamine:

Iga vaakumkambri heeliumi leket-testitakse massispektromeetriga (lekkekiirus < 1,0 × 10⁻¹⁰ Pa·m³/s).

Komponentide jälgitavus:

Vaakumventiilid, massivooluregulaatorid (MFC-d) ja toiteallikad, mis on hangitud kvalifitseeritud Tier-1 tööstusbrändidelt (MKS, Inficon, VAT).

Tehase vastuvõtutest (FAT):

Enne saatmist viige läbi-testid, mis kontrollivad baasrõhku, pumpamiskõverat, allika stabiilsust ja 24-tunnist pidevat tühja kambri vastupidavust.

Metroloogia valideerimine:

Proovisõidud kontrolliti spektrofotomeetriga (läbilaskvus/peegeldus) ja aatomjõumikroskoopiaga (pinna karedus Ra < 0,5 nm).

Paigaldus ja tehniline tugi

Saidi ettevalmistamise juhend:

Põhjalikud kommunaalteenuste nõuded, mis esitati enne tarnimist (jahutusvee vool/rõhk, puhta ruumi suruõhk, elektrijaotus, väljatõmbeventilatsioon).

Kasutuselevõtt võtmed kätte:

Teenindusinsenerid tegelevad kohapeal mehaanilise monteerimise, vaakumküpsetamise-, ioonkiirte kalibreerimise ja algse protsessi retsepti allkirjastamisega-.

Operaatorkoolitus:

Struktureeritud käed{0}}rutiinse hoolduse, vaakumohutuse, tarkvara kasutamise ja tõrkeotsingu kohta.

Elutsükli tugi:

Kaugdiagnostika liides tarkvara kiireks tõrkeotsinguks; kriitilise kulumise esemete (kiud, tiiglid, kilbid) piirkondlik laovaru lähetatakse 48 tunni jooksul.

KKK

K: Kuidas iooniabi takistab optiliste filtrite spektraalset nihet?

V: Tavaline termiline aurustamine jätab kile mikroskoopilised tühimikud, mis imavad ümbritsevat niiskust, muutes selle füüsikalist paksust ja murdumisnäitajat. Ioonidega pommitamine suurendab kile pakkimistihedust üle 99%, tihendades mikrostruktuuri niiskuse läbitungimise eest ja lukustades optilised parameetrid stabiilseks muutuva niiskusega keskkondades.

K: Mis on iooniallika võrgu tüüpiline hooldusintervall?

V: Olenevalt protsessigaasidest (Ar vs. reaktiivne O₂) ja töövõimsusest on võrgu hooldust vaja iga 150–300 töötlemistunni järel. Võrevaba ots-Saalide konstruktsioonid laiendavad oluliselt tööaknaid, kõrvaldades pritsiva kulumisele alluvad füüsilised võred.

K: Kas see seade saab integreerida olemasoleva tehase automatiseerimisega?

V: Jah. Juhttarkvara toetab SECS/GEM ja OPC UA protokolle, võimaldades retseptide haldamiseks ja partiide jälgimiseks otseühendust Manufacturing Execution Systemsiga (MES).

Oleme hästi-tuntud kui üks juhtivaid ioon-abiga õhukese kile seadmete tootjaid ja tarnijaid Hiinas. Kui kavatsete osta Hiinas toodetud kohandatud ioon-aurustamise abiga õhukese kilega seadmeid, saate meie tehase hinnakirja. Hinnakonsultatsiooni saamiseks võtke meiega ühendust.